對高純化工原料試劑或高純原素純凈度或雜質含量的檢測，一般常見分子光譜圖、分子光譜分析法、色譜儀、質譜分析比色計化學成分分析等方式 開展測量。其陽離子規格型號正常情況下參考試劑優等品規范，沒有優等品規范的商品由生產制造企業自主制訂。依據主要用途不一樣，把高純化工原料試劑又分為幾類：
一般離純試劑：
就是指一些高純氫氧化物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業生產原材料、電子工業原材料、半導體材料基本原材料等，金屬單質的金屬氧化物、用于配置標液和做為標準物質，此類試劑常規定含量在4N-6N中間。
潔凈電子器件純試劑：
潔凈高純試劑是集成電路芯片（IC）生產制造加工工藝中的專用型化工品，用以硅片清洗、光刻技術、浸蝕工藝流程中。對這類高純試劑中可溶雜質和固體粒子規定十分嚴苛，為融入IC處理速度持續提升的要求，國際性上半導體材料行業協會（SemiconductorIndustryAssociation）近期發布Semic7(合適0.8-1.2μm生產工藝)和Semic8(合適于0.2-0.6μm生產工藝)等級的試劑產品質量標準。在我國在原來MOS級、BV-I級試劑的基本上，又制訂出BV-II級和BV-III級試劑規范（等同于Semic7）。我研究室也研發多種多樣MOS級、BV-I級BV-II級和一部分BV-III級試劑，其顆粒度（0.5粒子顆粒物）≤25-一百個∕ml，金屬材料雜質總產量≤10-3—10-5﹪
光刻膠高純試劑：
光刻技術是一種表層生產加工技術性，在半導體材料電子元器件和集成電路芯片生產制造中占據關鍵影響力。為在表層完成可選擇性浸蝕，選用一類具備抗蝕功效的光感應復合樹脂做為抗蝕鍍層，稱之為抗蝕劑，中國統稱光刻膠。依照溶解性的不一樣而將光刻膠分成“正性”光刻膠和“負性”光刻膠，按常用曝出燈源和輻射源燈源的不一樣，又可將其分成紫外線、遠紫外線、離子束、X射線等光刻膠。
光刻膠是細微圖型生產加工的一種重要試劑，規定水份低、金屬材料雜質含量低（≤10-6）
磨打磨拋光高純試劑：
就是指用以硅單晶片表層的碾磨和打磨拋光的高純度試劑。它又分研磨成粉（三氧化二鋁）和磨液（水和除油劑），能碾磨表層做到μm級加工精度。這類試劑規定顆粒物粒度分布小（納米技術），純凈度高，金屬材料雜質一般規定2.0×10-4—5×10-5﹪
lcd屏高純試劑：
lcd屏是一類電子器件化工材料，就是指在一定溫度范圍內展現接近固相和高效液相中間的正中間相的有機化合物。它不僅有液體的流通性也是有晶態的各種各樣，有時候人叫他為第四態。