純凈度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于優(yōu)級(jí)純的化學(xué)試劑叫做高純度實(shí)驗(yàn)試劑。是在通用性實(shí)驗(yàn)試劑基本上發(fā)展壯大下去的，是為了更好地專業(yè)的應(yīng)用目地而用獨(dú)特方式生產(chǎn)制造的純凈度高的實(shí)驗(yàn)試劑。高純度實(shí)驗(yàn)試劑操縱的是殘?jiān)?xiàng)成分，標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)試劑操縱的是主成分，標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)試劑可以用規(guī)范溶液的配制，但高純度實(shí)驗(yàn)試劑不可以用以規(guī)范溶液的配制（化合物金屬氧化物以外）。
現(xiàn)階段在國(guó)際性上也無統(tǒng)一的確立規(guī)格型號(hào)，在我國(guó)除對(duì)極少數(shù)商品制訂了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外，絕大多數(shù)高純度實(shí)驗(yàn)試劑的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)還很不統(tǒng)一，在名字上也是有高純度、超純、特純、光譜儀純、電子器件純等不一樣稱呼。一般以9來表明商品的純凈度。故在規(guī)格型號(hào)欄招標(biāo)以2個(gè)9、3個(gè)9、4個(gè)9依此類推，依據(jù)這一標(biāo)準(zhǔn)可將高純度化學(xué)物質(zhì)分成：
殘?jiān)偝煞植坏贸^1.5×10-2%，其純凈度為3.5個(gè)9（99.95）縮寫為3.5N
殘?jiān)偝煞植坏贸^1.0×10-2%，其純凈度為4個(gè)9（99.99）縮寫為4.0N
殘?jiān)偝煞植坏贸^1.0×10-3%，其純凈度為5個(gè)9（99.999）縮寫為5N
對(duì)高純度實(shí)驗(yàn)試劑或高純度原素純凈度或殘?jiān)煞值臋z測(cè)，一般常見原子吸收光譜、分子光譜分析法、色譜儀、質(zhì)譜分析色度化學(xué)成分分析等方式 開展測(cè)量。其陽(yáng)離子規(guī)格型號(hào)正常情況下參考實(shí)驗(yàn)試劑優(yōu)等品規(guī)范，沒有優(yōu)等品規(guī)范的商品由制造企業(yè)自主制訂。依據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不一樣，把高純度實(shí)驗(yàn)試劑又分為幾類：
一般離純化學(xué)試劑：
就是指一些高純度化合物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業(yè)生產(chǎn)原材料、電子工業(yè)材料、半導(dǎo)體材料基本資料等，金屬單質(zhì)的金屬氧化物、用于配置標(biāo)液和做為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，此類實(shí)驗(yàn)試劑常規(guī)定成分在4N-6N中間。
潔凈電子器件純實(shí)驗(yàn)試劑：
潔凈高純度實(shí)驗(yàn)試劑是電子器件（IC）生產(chǎn)制造工序中的專用型化工品，用以硅片清洗、光刻技術(shù)、浸蝕工藝流程中。對(duì)這類高純度實(shí)驗(yàn)試劑中可溶殘?jiān)凸腆w顆粒規(guī)定十分嚴(yán)苛，為融入IC處理速度不斷提升的要求，國(guó)際性上半導(dǎo)體材料行業(yè)協(xié)會(huì)（SemiconductorIndustryAssociation）近期發(fā)布Semic7(合適0.8-1.2μm生產(chǎn)工藝)和Semic8(合適于0.2-0.6μm生產(chǎn)工藝)等級(jí)的實(shí)驗(yàn)試劑檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。在我國(guó)在原來MOS級(jí)、BV-I級(jí)實(shí)驗(yàn)試劑的基本上，又制訂出BV-II級(jí)和BV-III級(jí)實(shí)驗(yàn)試劑規(guī)范（等同于Semic7）。